半導(dǎo)體制作中的石墨制品大揭秘
    在半導(dǎo)體制作的國(guó)際里，石墨制品扮演著至關(guān)重要的人物。高純石墨制品在第三代半導(dǎo)體單晶成長(zhǎng)設(shè)備中有著廣泛的運(yùn)用，尤其是在碳化硅（SiC）單晶成長(zhǎng)爐中。
SiC單晶成長(zhǎng)的石墨坩堝和加熱器
    在制備SiC單晶的過(guò)程中，PVT（物理氣相傳輸）辦法是最老練和常用的技能。這種辦法運(yùn)用感應(yīng)線圈加熱，經(jīng)過(guò)渦流效果使高密度石墨發(fā)熱體升溫。碳化硅粉體被填滿在石墨坩堝的底部，而碳化硅籽晶則粘結(jié)在坩堝蓋的內(nèi)部。經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)外部石墨氈的溫度，可以使碳化硅質(zhì)料處于高溫區(qū)，而籽晶則處于低溫區(qū)。
    在這個(gè)過(guò)程中，高純石墨坩堝、碳纖維硬氈、籽晶托等都是必不可少的。這些石墨制品不僅需求高純度，還要能夠承受高溫而不污染SiC質(zhì)料和晶體。為了防止石墨在高溫下受到塵埃和雜質(zhì)的影響，一般會(huì)在它們的外表涂上高純度、高致密的涂層。
外延成長(zhǎng)的石墨盤
    外延工藝是指在單晶襯底上成長(zhǎng)一層與襯底具有相同晶格擺放的單晶資料。在硅和碳化硅的外延工藝中，晶片一般承載在石墨盤上。這些石墨盤有桶式、煎餅式和單晶片等多種類型。
離子注入設(shè)備的石墨部件
    離子注入是一種改變資料表層物質(zhì)特性的工藝，經(jīng)過(guò)將硼、磷、砷等離子束加速到必定能量，然后注入晶圓資料的表層內(nèi)來(lái)實(shí)現(xiàn)。離子注入設(shè)備的部件需求具有優(yōu)異耐熱性、導(dǎo)熱性和低雜質(zhì)含量的特性。高純石墨因其超卓的物理功能，是這些部件的理想挑選。
等離子蝕刻設(shè)備的石墨部件
    等離子蝕刻是一種在單晶襯底上成長(zhǎng)一層與襯底具有相同晶格擺放的單晶資料的技能。在這個(gè)過(guò)程中，晶片相同需求承載在石墨盤上。石墨盤的類型有桶式、煎餅式和單晶片等多種挑選。
柔性石墨箔 
    柔性石墨箔由天然膨脹石墨制成，在半導(dǎo)體運(yùn)用中有著廣泛的運(yùn)用。它可以提高體系和工藝的功能，降低能耗并保證可靠性。柔性石墨箔可用于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的保溫筒、隔熱資料、柔性層、密封資料等各種零部件。
    總之，石墨制品在半導(dǎo)體制作中扮演著至關(guān)重要的人物，無(wú)論是SiC單晶成長(zhǎng)、外延工藝仍是離子注入和等離子蝕刻，都離不開(kāi)這些高功能的石墨資料。